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            绝缘体磁畴界面被证具高导电性

            发布时间:[2015-11-4]  查看次数:581

            绝缘体磁畴界面被证具高导电性
             
            来自西安交通大学、中科院上海微系统所、斯坦福大学、日本理化学研究所、劳伦斯伯克利国家实验室等组织的中外科研人员发现,绝缘体的磁畴边界具有高导电性。这项发现不仅为困扰科学家数十年的科学假说首次供给了直接证据,而且对未来存储器的设计和开发具有重要的潜在使用价值,相关成果日前发表于《科学》。

            几十年前,科学家推导认为,电绝缘体的磁畴边界可能成为电的良导体。该理论假定自提出起受到广泛关注,然而在本研究之前,虽然科学家对很多可能的材料体系已经进行了研究,但都未能取得直接的实验证据。深圳导电硅胶

            此次研究中,日本理化学研究所的研究人员首先构成了一种高品质的电绝缘体多晶化合物?蒲腥嗽彼婕赐瓿闪宋⒊叨鹊缡湓瞬庋樯璞傅难兄坪偷缡湓诵阅艿恼闪,并通过一个共同的微波阻抗显微镜对导电磁畴界进行直接成像。通过微波阻抗显微镜获取的优异图像,研究人员对该多晶样品内的电阻率散布进行二维逐点丈量,成功观测到了高导电性的磁畴界面。

            该多晶材料的晶体取向信息表明,在微波阻抗显微镜下观察到的导电曲线的实质有诸多挑战。比如,构成材料是由很多远小于人的头发直径,且取向各异的晶粒构成,该多晶材料很脆,难以抛光,因而难以用多见方法进行观察,且该晶体结构比较复杂,衍射谱的解析很难。终究,科研人员利用同步辐射微束白光X射线劳厄衍射技能,和独立开发的数据分析软件XMAS,完成了这项作业。深圳导电硅胶
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